【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對(duì)比】： 靶材利用率（TU）：是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示：靶材利用率={原靶材質(zhì)量（Kg）—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注：①：磁控濺射靶材利用率稍低，電壓要求低，電流會(huì)高，濺射率提高，增加生產(chǎn)效率，降低成本。 ②：靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材，防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射（金屬箔片、連接片、陰極） 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別： ①：靶材利用率不同 ②：濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③：放電電流和放電電壓不同 ④：濺射率不同：磁控濺射有更短的沉積時(shí)間，更高的沉積量和更短沉積周期。真空鍍膜設(shè)備日常怎么維護(hù)？海南珠寶首飾真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看，物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被guang泛應(yīng)用，這是因?yàn)椋?1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。 4、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來 了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。中國(guó)臺(tái)灣真空鍍膜設(shè)備哪種好廣東真空鍍膜設(shè)備廠家。

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之機(jī)器故障和人為中斷】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測(cè)試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之機(jī)器故障和人為中斷： 模擬：根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片（測(cè)試比較片）實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測(cè)試比較片是指隨鏡片一起鍍制（在傘片上、與鏡片同折射率），用于測(cè)試鍍后分光曲線的平片。 優(yōu)化：再鎖定通過模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，通過后續(xù)層膜厚優(yōu)化找到實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的Zui佳方案。 試鍍：根據(jù)新優(yōu)化的后續(xù)膜層數(shù)據(jù)，試鍍?nèi)舾社R片或測(cè)試片，確認(rèn)補(bǔ)色膜系的可行性。 補(bǔ)色鍍：對(duì)試鍍情況確認(rèn)后實(shí)施補(bǔ)色鍍。補(bǔ)色鍍前，確認(rèn)基片是否潔凈，防止產(chǎn)生其他不良。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之單片膜色不均勻】： 原因：主要是由于基片凹凸嚴(yán)重，與傘片曲率差異較大，基片上部、或下部法線與蒸發(fā)源構(gòu)成的蒸發(fā)角差異較大。造成一片鏡片上各部位接受膜料的條件差異大，形成的膜厚差異大。另外鏡片被鏡圈（碟片）邊緣部遮擋、鏡圈（碟片）臟在蒸鍍時(shí)污染鏡片等也會(huì)造成膜色差異問題。 改善對(duì)策：改善鏡片邊緣的蒸發(fā)角 1. 條件許可，用行星夾具 2. 選用傘片平坦（R大）的機(jī)臺(tái) 3. 根據(jù)傘片孔位分布，基片形狀，制作專門的鋸齒形修正板。 4. 如果有可能，把蒸發(fā)源往真空室中間移動(dòng)，也可改善單片的膜色均勻性。 5. 改善鏡圈（碟片），防止遮擋。 6. 注意旋轉(zhuǎn)傘架的相應(yīng)部位對(duì)邊緣鏡片的部分遮擋 7. 清潔鏡圈（碟片） 8. 改善膜料蒸發(fā)狀況。 成都真空鍍膜設(shè)備廠家有哪些？

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜外色斑】： 色斑（也稱膜色亞克、燒蝕）是指鏡片上的膜色局部變異。有膜內(nèi)色斑和膜外色斑二種。 膜外色斑改善對(duì)策： 1. 對(duì)減反膜，設(shè)計(jì)條件許可時(shí)，外層加以SiO2層，10nm左右即可（一般的外層膜是MgF2）。使外層趨于光滑、致密、減少有害物質(zhì)的侵蝕。 2. 適當(dāng)降低蒸鍍速率（在一定范圍內(nèi)），提高膜層光滑度，減少吸附。 3. 鏡片在出罩后，待冷卻后再下傘和擦拭。 4. 鏡片在出罩后，放置在潔凈干燥的場(chǎng)合待冷卻。減少污染可能。 5. 用碳酸鈣粉，輕擦去除外層附著物。 6. 改善工作環(huán)境的濕度、溫差 7. 改善充氣口附近的環(huán)境，使充入的大氣干燥、潔凈。 8. 工作人員的個(gè)人衛(wèi)生改善 9. 檢討真空室返油狀況，防止返油。 10. 適當(dāng)降低基片溫度。 11. 改善膜系，取消太薄的膜層，根據(jù)硝材特性，選擇合適的膜層材料。錦成國(guó)泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣？云南真空鍍膜設(shè)備收購(gòu)

真空鍍膜設(shè)備抽真空步驟。海南珠寶首飾真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜外自霧】：現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會(huì)有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕?？赡艹梢蛴校?.膜結(jié)構(gòu)問題，外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散，外層膜太粗糙2.蒸發(fā)角過大，膜結(jié)構(gòu)粗糙3.溫差：鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過大4.潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣5.真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過重6.蒸鍍中充氧不完全，膜結(jié)構(gòu)不均勻。7.膜與膜之間的應(yīng)力改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對(duì)癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對(duì)象。改善對(duì)策：1.改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。2.降低出罩時(shí)的鏡片溫度3.改善充氧（加大），改善膜結(jié)構(gòu)4.適當(dāng)降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結(jié)構(gòu)5.離子輔助鍍膜，改善膜結(jié)構(gòu)6.加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥7.從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角8.改善基片表面粗糙度9.注意Polycold解凍時(shí)的真空度。海南珠寶首飾真空鍍膜設(shè)備