【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜外自霧】：現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕?？赡艹梢蛴校?.膜結(jié)構(gòu)問題，外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散，外層膜太粗糙2.蒸發(fā)角過大，膜結(jié)構(gòu)粗糙3.溫差：鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過大4.潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣5.真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過重6.蒸鍍中充氧不完全，膜結(jié)構(gòu)不均勻。7.膜與膜之間的應(yīng)力改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對象。改善對策：1.改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。2.降低出罩時(shí)的鏡片溫度3.改善充氧（加大），改善膜結(jié)構(gòu)4.適當(dāng)降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結(jié)構(gòu)5.離子輔助鍍膜，改善膜結(jié)構(gòu)6.加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥7.從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角8.改善基片表面粗糙度9.注意Polycold解凍時(shí)的真空度。 真空鍍膜設(shè)備公司排名。河北真空鍍膜設(shè)備張以忱pdf

【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時(shí)，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】： 定義：每單位時(shí)間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個(gè)數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計(jì)學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計(jì)學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜，久之會產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進(jìn)行定期清潔。云南真空鍍膜設(shè)備招聘真空鍍膜設(shè)備故障維修技巧有哪些？

【離子鍍膜法介紹】： 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍在基片上。根據(jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。

【真空鍍膜真空濺射法】：真空濺射法是物理qi相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。真空鍍膜設(shè)備為什么會越來越慢？

【真空鍍膜簡介】： 真空（vacuum）是一種沒有任何物質(zhì)的空間狀態(tài)，因?yàn)檎婵罩袥]有介質(zhì)，所以像聲音這種需要介質(zhì)傳遞的能量在真空中是無法傳播的。1654年當(dāng)時(shí)的馬德堡市zhang奧&托&格里克在今tian德國雷根斯堡進(jìn)行了一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)，從而證明了真空是存在的?，F(xiàn)在我們所說的真空并不是指空間內(nèi)沒有任何物質(zhì)，而是指在一個(gè)既定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)，我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空?，F(xiàn)在的真空鍍膜技術(shù)是在真空中把金屬、合金進(jìn)行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標(biāo)物體上。 在當(dāng)今電子行業(yè)，很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝，雖然我國的真空鍍膜技術(shù)起步較晚，但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經(jīng)成為電子元器件制造的一項(xiàng)不可或缺的技術(shù)。目前的真空鍍膜技術(shù)主要分為：真空蒸鍍、磁控濺射鍍膜、離子鍍。真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用。天津馳誠真空鍍膜設(shè)備

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【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時(shí)，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素：①等離子體中離子動能,②入射離子的入射角度;3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì);4)入射角度的影響因素①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。【濺射率】：定義：每單位時(shí)間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個(gè)數(shù)。濺射率的影響因素：①離子動能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計(jì)學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計(jì)學(xué))=d/t。注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜，久之會產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進(jìn)行定期清潔。河北真空鍍膜設(shè)備張以忱pdf