【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】： 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu)，表面硬度不高，容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括： 1. 在膜系設(shè)計允許的條件下，膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層，二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂（但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂）。鍍膜后離子轟擊幾分鐘，牢固度效果會更好。（但表面會變粗） 2. 鏡片取出真空室后，放置在較為干燥潔凈的地方，防止鏡片快速吸潮，表面硬度降低。真空鍍膜設(shè)備為什么會越來越慢？上海奧普光電有真空鍍膜設(shè)備嗎

【真空鍍膜設(shè)備之真空的獲得】：真空泵：真空泵是指利用機械、物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法對被抽容器進(jìn)行抽氣而獲得真空的器件或設(shè)備。通俗來講，真空泵是用各種方法在某一封閉空間中改善、產(chǎn)生和維持真空的裝置。按真空泵的工作原理，真空泵基本上可以分為兩種類型，即氣體捕集泵和氣體傳輸泵。其廣fan用于冶金、化工、食品、電子鍍膜等行業(yè)。A、粗真空泵（RoughVacuumPump）：一般用于抽粗真空，有油泵和干泵。從結(jié)構(gòu)上可分幾種：旋轉(zhuǎn)葉片泵：油泵，極限真空可達(dá)10&3Torr，抽速1~650CFM隔膜泵：干泵，極限真空1Torr左右，抽速<10CFM往復(fù)式活塞泵：干泵，極限真空10&2Torr，抽速6~32CFM渦旋式真空泵：干泵，極限真空10&2Torr，抽速12~25CFM螺旋泵：干泵，極限真空10&3Torr，抽速30~318CFM江蘇電子行業(yè)真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備使用時，需要注意哪些問題?

【離子鍍膜法之活性反應(yīng)蒸鍍法】：活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁(AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品?！倦x子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】：空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質(zhì)膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品。

不同類型鍍膜機的適用范圍介紹1、磁控濺射鍍膜設(shè)備：應(yīng)用于信息存儲領(lǐng)域，如磁信息存儲、磁光信息存儲等2、磁控濺射鍍膜機：應(yīng)用于防護涂層，如飛機發(fā)動機的葉片、汽車鋼板、散熱片等3、磁控濺射鍍Al膜生產(chǎn)線：應(yīng)用于太陽能利用領(lǐng)域，如太陽能集熱管、太陽能電池等4、光學(xué)鍍膜設(shè)備：應(yīng)用于光學(xué)薄膜領(lǐng)域，如增透膜、高反膜、截止濾光片、防偽膜等5、AZO透明導(dǎo)電膜磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線：應(yīng)用于信息顯示領(lǐng)域，如液晶屏、等離子屏等6、觸摸屏連續(xù)式鍍膜生產(chǎn)線：應(yīng)用于觸摸屏領(lǐng)域，如手機、電腦、MP4等數(shù)碼產(chǎn)品屏幕等。7、磁控中頻多弧離子鍍膜設(shè)備：應(yīng)用于硬質(zhì)涂層，如切削工具、模具和耐磨耐腐蝕零件等。8、PECVD磁控生產(chǎn)線：應(yīng)用于集成電路制造，如薄膜電阻器、薄膜電容器、薄膜溫度傳感器等。9、蒸發(fā)式真空鍍膜設(shè)備：應(yīng)用于在裝飾飾品上，如手機殼、表殼、眼鏡架、五金、小飾品等鍍膜。10、低輻射玻璃鍍膜生產(chǎn)線：應(yīng)用于建筑玻璃方面，如陽光控制膜、低輻射玻璃、防霧防露和自清潔玻璃等。11、抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射生產(chǎn)線：應(yīng)用于電子產(chǎn)品領(lǐng)域，如液晶顯示器、液晶電視、MP4、車載顯示、手機顯示、數(shù)碼相機和掌聲電腦等。真空鍍膜設(shè)備大概多少錢一臺？

【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看，物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢，因而被guang泛應(yīng)用，這是因為： 1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。 4、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來 了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。真空鍍膜設(shè)備操作視頻。廣西磁控濺射真空鍍膜設(shè)備

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【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素：①等離子體中離子動能,②入射離子的入射角度;3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì);4)入射角度的影響因素①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。【濺射率】：定義：每單位時間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個數(shù)。濺射率的影響因素：①離子動能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計學(xué))=d/t。注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜，久之會產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進(jìn)行定期清潔。上海奧普光電有真空鍍膜設(shè)備嗎