【離子鍍膜法之直流二極型(DCIP)】： 直流二極型(DCIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升大、繞射性好、附著性好，膜結(jié)構(gòu)及形貌差，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤滑機(jī)械制品。 【離子鍍膜法之多陰極型】： 多陰極型:利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，有時(shí)需要對基板加熱；可用于鍍精密機(jī)械制品、電子器件裝飾品。真空鍍膜機(jī)詳細(xì)鍍膜方法。山西真空鍍膜設(shè)備維修

多弧離子鍍原理是利用真空弧光放電計(jì)數(shù)用于蒸發(fā)源的技術(shù)，即在真空環(huán)境下引燃蒸發(fā)源（陰極），與陽極之間形成自持弧光放電，既從陰極弧光輝點(diǎn)放出陰極物質(zhì)的離子。由于電流局部的集中，產(chǎn)生的焦耳熱使陰極材料局部的爆發(fā)性地等離子化，在工作偏壓的作用下與反應(yīng)氣體化合，而沉積在工件表面是形成被鍍的膜層。真空蒸發(fā)鍍膜法：就是將鍍的基材放于真空鍍膜機(jī)的電極上進(jìn)行加熱，使其蒸發(fā)為氣體，由于鍍膜室處于真空狀態(tài)，所以氣體膜材的運(yùn)輸不會受到阻礙，沉積到基片表面，就形成了均勻的薄膜。上海新北硅膠真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用。

【真空鍍膜設(shè)備之低溫泵】： 低溫泵：低溫泵分為注入式液氦低溫泵和閉路循環(huán)氣氦制冷機(jī)低溫泵兩種。主要用于高真空或超高真空，屬于干泵，工作方式為氣體捕集。極限真空&6~&9Torr。 用低溫介質(zhì)將抽氣面冷卻到20K 以下，抽氣面就能大量冷凝沸點(diǎn)溫度比該抽氣面溫度高的氣體，產(chǎn)生很大的抽氣作用。這種用低溫表面將氣體冷凝而達(dá)到抽氣目的的泵叫做低溫泵，或稱冷凝泵。低溫泵可以獲得抽氣速率Zui大、極限壓力Zui低的清潔真空，guang泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和集成電路的研究和生產(chǎn)，以及分子束研究、真空鍍膜設(shè)備、真空表面分析儀器、離子注入機(jī)和空間模擬裝置等方面。

【真空鍍膜設(shè)備之渦輪分子泵】： 渦輪分子泵：渦輪分子泵是利用高速旋轉(zhuǎn)的動葉輪將動量傳給氣體分子，使氣體產(chǎn)生定向流動而抽氣的真空泵。主要用于高真空或超高真空，屬于干泵，極限真空10&7~10&8Torr，烘烤后可到10&10Torr，抽速可從50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速轉(zhuǎn)動的渦輪轉(zhuǎn)子攜帶氣體分子而獲得高真空、超高真空的一種機(jī)械真空泵。泵的轉(zhuǎn)速為10000轉(zhuǎn)/分到50000轉(zhuǎn)/分，這種泵的抽速范圍很寬，但不能直接對大氣排氣，需要配置前級泵。分子泵抽速與被抽氣體的種類有關(guān)，如對氫的抽速比對空氣的抽速大20%。 PVD真空鍍膜設(shè)備公司。

【真空鍍膜設(shè)備之真空的獲得】：真空泵：真空泵是指利用機(jī)械、物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法對被抽容器進(jìn)行抽氣而獲得真空的器件或設(shè)備。通俗來講，真空泵是用各種方法在某一封閉空間中改善、產(chǎn)生和維持真空的裝置。按真空泵的工作原理，真空泵基本上可以分為兩種類型，即氣體捕集泵和氣體傳輸泵。其廣fan用于冶金、化工、食品、電子鍍膜等行業(yè)。A、粗真空泵（RoughVacuumPump）：一般用于抽粗真空，有油泵和干泵。從結(jié)構(gòu)上可分幾種：旋轉(zhuǎn)葉片泵：油泵，極限真空可達(dá)10&3Torr，抽速1~650CFM隔膜泵：干泵，極限真空1Torr左右，抽速<10CFM往復(fù)式活塞泵紅外真空鍍膜設(shè)備制造商。上海新北硅膠真空鍍膜設(shè)備

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【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，取長補(bǔ)短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn)，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實(shí)現(xiàn)全mian積均勻。山西真空鍍膜設(shè)備維修