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重慶金華真空鍍膜設備廠家

來源: 發(fā)布時間:2021-12-22

【真空鍍膜機概述】: 真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發(fā),電子搶加熱蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 真空鍍膜機構造的五大系統(tǒng):排氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、蒸鍍系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)。 真空鍍膜三要素:真空度、抽氣時間、溫度;任何鍍膜工藝都需要為這三個要素設定目標值;因此,只有當三個條件同時滿足時,自動化程序才會自動運行。 真空鍍膜機需要做定期定期保養(yǎng),目的在于:讓鍍膜機能長時間地正常運轉;降低故障時間,避免影響產能,減少損失;提高機器精度,穩(wěn)定品質;加快抽氣速度,提升機器利用率等。真空鍍膜設備故障維修技巧有哪些?重慶金華真空鍍膜設備廠家

【光學薄膜理論基礎】: 光學薄膜基本上是借由干涉作用而達到效果的。是在光學元件上或獨li的基板上鍍一層或多層的介電質膜或金屬膜或介電質膜或介電質膜與金屬膜組成的膜堆來改變廣播傳到的特性。因此波在薄膜中行進才會發(fā)生投射、反射、吸收、散射、相位偏移等變化。 光波經過薄膜后在光譜上會起變化,因此這些變化會使得光學薄膜至少具有下列功能: &反射的提高或穿透的降低 &反射的降低或穿透的提高 &雙色、偏極光的分光作用 &光譜帶通或戒指等濾光作用 &輻射器之光通量調整 &光電資訊的儲存及輸入廣西磁控濺射真空鍍膜設備生產廠家電子束蒸發(fā)真空鍍膜設備是什么?

【真空鍍膜濺射種類】: 1、反應濺射:氧化物,氮化物作為沉積物質 現(xiàn)象:①:靶材分子分裂,其于工藝氣體離子發(fā)生反應,形成化合物 ②:膜層性能改變 ③:靶材有可能中毒 2、二極濺射:二極濺射是一種經典的標準濺射技術,其中等離子體和電子均只沿著電場方向運動。 特征:①:無磁場 ②:濺射率低 ③:放電電壓高(>500V) ④:鍍膜底物受熱溫度極易升高(>500°C) 用途:主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射:暗區(qū)無等離子體產生,在磁控濺射下,電子呈螺旋形運動,不會直接沖向陽極。而是在電場力和磁場力的綜合作用在腔室內做螺旋運動。同時獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進行能量交換,使氣體及靶材原子離子化,dada提高氣體等離子體密度,從而提高了濺射速率(可提高10—20倍)和濺射均勻性。

【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之膜外色斑】: 色斑(也稱膜色亞克、燒蝕)是指鏡片上的膜色局部變異。有膜內色斑和膜外色斑二種。 膜外色斑改善對策: 1. 對減反膜,設計條件許可時,外層加以SiO2層,10nm左右即可(一般的外層膜是MgF2)。使外層趨于光滑、致密、減少有害物質的侵蝕。 2. 適當降低蒸鍍速率(在一定范圍內),提高膜層光滑度,減少吸附。 3. 鏡片在出罩后,待冷卻后再下傘和擦拭。 4. 鏡片在出罩后,放置在潔凈干燥的場合待冷卻。減少污染可能。 5. 用碳酸鈣粉,輕擦去除外層附著物。 6. 改善工作環(huán)境的濕度、溫差 7. 改善充氣口附近的環(huán)境,使充入的大氣干燥、潔凈。 8. 工作人員的個人衛(wèi)生改善 9. 檢討真空室返油狀況,防止返油。 10. 適當降低基片溫度。 11. 改善膜系,取消太薄的膜層,根據硝材特性,選擇合適的膜層材料。 真空鍍膜設備是什么?

【真空鍍膜改善薄膜應力】: 1. 鍍后烘烤,Zui后一層膜鍍完后,烘烤不要馬上停止,延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結構趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時間適當延長,退火時效。減少由于真空室內外溫差過大帶來的熱應力。 3. 對高反膜、濾光膜等在蒸鍍過程中,基片溫度不宜過高,高溫易產生熱應力。并且對氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學穩(wěn)定性有負面影響。 4. 鍍膜過程離子輔助,減少應力。 5. 選擇合適的膜系匹配,第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當減小蒸發(fā)速率。 7. 對氧化物膜料全部充氧反應鍍,根據不同膜料控制氧進氣量。 真空鍍膜設備品牌有很多,你如何選擇?廣西磁控濺射真空鍍膜設備生產廠家

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【光譜分光不良的補救(補色)之停電】: 分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經測試分光不良,此類不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過后續(xù)努力補救。后續(xù)方法正確,補救成功率比較高。 中斷的原因形式之停電: 對于停電這種情況,比較好處理,只要確認前面鍍的沒錯,程序沒有用錯,就可以繼續(xù)原來的程序,要注意的是:如果某一層鍍了一部分繼續(xù)鍍下去時,交接處要減少一些膜厚(根據膜料、蒸發(fā)速率決定減少多少,一般時0.2~1nm左右),如果該層剩下的膜厚不足15~20秒蒸鍍時,要考慮降低蒸發(fā)速率或干脆不讀,通過后續(xù)層調整膜厚解決。 重慶金華真空鍍膜設備廠家

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