晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上***晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被***應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類2工作原理3工作條件4工作過程5注意事項6如何保護晶閘管晶體閘流管種類編輯（一）按關(guān)斷、導通及控制方式分類晶閘管按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。。 以拆解的IGBT模塊型號為：FF1400R17IP4為例。模塊外觀及等效電路如圖1所示。中國臺灣好的IGBT模塊出廠價格

    不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。（2）要準確測量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測試設備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結(jié)果*供參考，或作為相對比較的依據(jù)。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導晶閘管的關(guān)斷時間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不*使用方便，而且能簡化電路設計。逆導晶閘管的符號、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見圖2。由圖顯見，逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標位置不同）。 中國臺灣好的IGBT模塊出廠價格由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。

    不*使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。

    這主要是因為使用vce退飽和檢測時，檢測盲區(qū)(1-8微秒)相對較長，發(fā)射極電壓檢測閾值設置的相對較高，使檢測效果并不理想。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的是提供一種ipm模塊短路檢測電路，解決了現(xiàn)有ipm模塊退飽和短路檢測因檢測盲區(qū)時間長，使ipm模塊發(fā)生損壞的問題。本實用新型所采用的技術(shù)方案是，一種ipm模塊短路檢測電路，包括連接在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間的低阻值電阻r、放大濾波電路、保護電路和驅(qū)動電路，放大濾波電路采集放大電阻r的電流，保護電路將放大的電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號u，并與閾值電壓uref進行比較，若u本實用新型的技術(shù)特征還在于，電阻r的阻值為～。保護電路包括依次相連接的電阻r1、高壓二極管d2、電阻r2、限幅電路和比較器，限幅電路包括二極管vd1和二極管vd2，所述限幅電路中二極管vd1輸入端分別接+15v電源和電阻r2，二極管vd1輸出端與二極管vd2輸入端相連接，二極管vd2輸出端接地，高壓二極管d2輸出端與二極管vd2輸入端相連接，二極管vd1輸出端與比較器輸入端相連接，所述放大濾波電路與電阻r1相連接。驅(qū)動電路包括功率放大模塊。放大濾波電路的放大倍數(shù)為20倍。本實用新型的有益效果是。 從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?/p>

    智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫，是一種先進的功率開關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點,以及MOSFET(場效應晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動功率的優(yōu)點。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用起來方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間，也**增強了系統(tǒng)的可靠性，適應了當今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越***的應用。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進的功率開關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)構(gòu)2內(nèi)部功能機制3電路設計智能功率模塊IPM結(jié)構(gòu)編輯結(jié)構(gòu)概念I(lǐng)PM由高速、低功率的IGBT芯片和推薦的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成，如圖1所示。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管。廣東質(zhì)量IGBT模塊代理品牌

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。中國臺灣好的IGBT模塊出廠價格

    2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導體B為負極利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導體器件。特性是正向?qū)妷旱?，反向恢復時間小，正向整流大，應用在低壓大電流輸出場合做高頻整流。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊，100V肖特基二極管模塊，150V肖特基二極管模塊，200V肖特基二極模塊等。3、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)ǎ聪蚪刂沟脑?，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導體器件。特性是耐高壓，功率大，整流電流較大，工作頻率較低，主要用于各種低頻半波整流電路，或連成整流橋做全波整流。整流管模塊一般是400-3000V的電壓。4、光伏防反二極管模塊防反二極管也叫做防反充二極管，就是防止方陣電流反沖。在光伏匯流箱中選擇光伏防反二極管時，由于受到匯流箱IP65等級的限制，一般選擇模塊式的會更簡便。選擇防反二極管模塊的主要條件為壓降低、熱阻小、熱循環(huán)能力強。目前，市場上有光伏**防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇。兩種模塊的區(qū)別在于：①光伏**防反二極管模塊具有壓降低（通態(tài)壓降），而普通二極管模塊通態(tài)壓降達到。壓降越低，模塊的功耗越小，散發(fā)的熱量相應也減小。 中國臺灣好的IGBT模塊出廠價格