負(fù)極連接所述高壓續(xù)流二極管的負(fù)極;所述高壓續(xù)流二極管的正極通過(guò)基島或引線連接所述漏極管腳;所述邏輯電路的高壓端口連接所述高壓供電管腳。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型還提供一種電源模組,所述電源模組至少包括:上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),一電容,負(fù)載及一采樣電阻;所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線管腳連接火線,零線管腳連接零線,信號(hào)地管腳接地;所述一電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端接地;所述負(fù)載連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳與漏極管腳之間;所述一采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳,另一端接地。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型還提供一種電源模組,所述電源模組至少包括:上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),第二電容,第三電容,一電感,負(fù)載及第二采樣電阻;所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線管腳連接火線,零線管腳連接零線,信號(hào)地管腳接地;所述第二電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端接地;所述第三電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端經(jīng)由所述一電感連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的漏極管腳。由于一般整流橋應(yīng)用時(shí),常在其負(fù)載端接有平波電抗器,故可將其負(fù)載視為恒流源。遼寧哪里有整流橋模塊推薦貨源
使模塊具有有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過(guò)程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂,這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線,而部分連線是通過(guò)DBC板的刻蝕圖形來(lái)實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽(yáng)和共陰的連接特點(diǎn),F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽(yáng)極)和三片是反燒(即芯片正面是陽(yáng)極、反面是陰極),并利用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡(jiǎn)化。同時(shí),所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上,這樣使連線減少,模塊可靠性提高。4、外殼:殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強(qiáng)度高以及熱變溫度高的,并加有40%玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成,它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問(wèn)題,通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間隔,實(shí)現(xiàn)上下殼體的結(jié)構(gòu)連接,以達(dá)到較高的防護(hù)強(qiáng)度和氣閉密封,并為主電極引出提供支撐。3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)整流橋模塊有著體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡(jiǎn)單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)。遼寧哪里有整流橋模塊推薦貨源通俗的來(lái)說(shuō)二極管它是正向?qū)ê头聪蚪刂?,也就是說(shuō),二極管只允許它的正極進(jìn)正電和負(fù)極進(jìn)負(fù)電。
生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1、鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。2、DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時(shí),DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣。
包括但不限于高壓供電基島13或漏極基島15)或不同基島(包括但不限于高壓供電基島13及漏極基島15),在此不一一贅述。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,如圖5所示,所述整流橋設(shè)置于火線基島16及零線基島17上。具體地,所述整流橋采用兩個(gè)n型二極管及兩個(gè)p型二極管實(shí)現(xiàn),其中,第五整流二極管dz5及第六整流二極管dz6為n型二極管,所述第七整流二極管dz7及第八整流二極管dz8為p型二極管。所述第五整流二極管dz5的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述火線基島16上,正極通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地管腳gnd。所述第六整流二極管dz6的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述零線基島17上,正極通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地管腳gnd。所述第七整流二極管dz7的正極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述火線基島16上,負(fù)極通過(guò)金屬引線連接所述高壓供電管腳hv。所述第八整流二極管dz8的正極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述零線基島17上,負(fù)極通過(guò)金屬引線連接所述高壓供電管腳hv。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,如圖5所示,所述控制芯片12包括功率開(kāi)關(guān)管及邏輯電路。所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d,源極連接所述邏輯電路的采樣端口,柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào))。外部采用絕緣朔料封裝而成,大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封,增強(qiáng)散熱性能。
金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導(dǎo)電部件上),能實(shí)現(xiàn)電連接即可,不限于本實(shí)施例。需要說(shuō)明的是,所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實(shí)現(xiàn),不限于本實(shí)施例,任意可實(shí)現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可,在此不一一贅述。如圖1所示,在本實(shí)施例中,所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地,所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d,源極連接所述邏輯電路的采樣端口,柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào));所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd,漏極端口d連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實(shí)施例中,所述控制芯片12的底面為襯底,通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上,所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則,通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接;漏極端口d通過(guò)金屬引線連接所述漏極管腳drain;采樣端口cs通過(guò)金屬引線連接所述采樣管腳cs。整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。陜西優(yōu)勢(shì)整流橋模塊直銷價(jià)
整流橋的選型也是至關(guān)重要的,后級(jí)電流如果過(guò)大,整流橋電流小,這樣就會(huì)導(dǎo)致整流橋發(fā)燙嚴(yán)重。遼寧哪里有整流橋模塊推薦貨源
所述第六電容c6的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的電源地管腳bgnd。具體地,所述第二電感l(wèi)2連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的電源地管腳bgnd與信號(hào)地管腳gnd之間。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例增加所述電源地管腳bgnd實(shí)現(xiàn)整流橋的接地端與所述邏輯電路122的接地端分開(kāi),通過(guò)外置電感實(shí)現(xiàn)emi濾波,減小電磁干擾。同樣適用于實(shí)施例一及實(shí)施例三的電源模組,不限于本實(shí)施例。需要說(shuō)明的是,所述整流橋的設(shè)置方式、所述功率開(kāi)關(guān)管與所述邏輯電路的設(shè)置方式,以及各種器件的組合可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置,不以本實(shí)用新型列舉的幾種實(shí)施例為限。另外,由于應(yīng)用的多樣性,本實(shí)用新型主要針對(duì)led驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的三種使用整流橋的拓?fù)溥M(jìn)行了示例,類似的結(jié)構(gòu)同樣適用于充電器/適配器等ac-dc電源領(lǐng)域等,尤其是功率小于25w的中小功率段應(yīng)用,本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易將其推廣到其他使用了整流橋的應(yīng)用領(lǐng)域。本實(shí)用新型的拓?fù)浜wled驅(qū)動(dòng)的高壓線性、高壓buck、flyback三個(gè)應(yīng)用,并可以推廣到ac-dc充電器/適配器領(lǐng)域;同時(shí),涵蓋了分立高壓mos與控制器合封、高壓mos與控制器一體單晶的兩種常規(guī)應(yīng)用。遼寧哪里有整流橋模塊推薦貨源