晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學上這個網(wǎng)絡(luò)有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當?shù)慕咏?，在這個極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并聯(lián)諧振電路。這個并聯(lián)諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。石英晶體這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。溫州1210晶體振蕩器報價

晶振的指標：總頻差：在規(guī)定的時間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的很大偏差。說明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率老化率造成的偏差、頻率電壓特性和頻率負載特性等共同造成的很大頻差。一般只在對短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對其他頻率穩(wěn)定度指標不嚴格要求的場合采用。例如：精密制導雷達。頻率穩(wěn)定度：任何晶振，頻率不穩(wěn)定是一定的，程度不同而已。一個晶振的輸出頻率隨時間變化的曲線。上海并聯(lián)型晶體振蕩器廠家直銷振蕩器是一種能量轉(zhuǎn)換裝置——將直流電能轉(zhuǎn)換為具有一定頻率的交流電能，其構(gòu)成的電路叫振蕩電路。

晶體振蕩器的基本概念：壓電效應：對某些電介質(zhì)施加機械力而引起它們內(nèi)部正負電荷中心相對位移，產(chǎn)生極化，從而導致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號相反的束縛電荷.在一定應力范圍內(nèi)，機械力與電荷呈線性可逆關(guān)系。這種現(xiàn)象稱為壓電效應。作用：提供系統(tǒng)振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率。晶體振蕩器的參數(shù)：標稱頻率：在規(guī)定條件下，晶體振蕩器的諧振中心頻率；調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度時的工作頻率相對標稱頻率的較大偏離值；溫度頻差：在規(guī)定條件下，相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離值。

晶體振蕩器的全稱為“石英晶體振蕩器”，一般稱“晶體振蕩器”或“晶體諧振器”。晶體振蕩器是石英晶體經(jīng)精密切割磨削并鍍上電極焊上引線做成的。石英也是水晶的統(tǒng)稱，這種晶體如果給它通電，它就會產(chǎn)生機械振蕩，反之，如果給它機械力，它又會產(chǎn)生電，這種特性叫機電效應。所以，晶體振蕩器的其中一種作用就是能產(chǎn)生時鐘頻率。晶體振蕩器一般可分為：普通晶體振蕩器、溫補晶體振蕩器（溫度補償晶體振蕩器）、恒溫晶體振蕩器（恒溫控制晶體振蕩器）、壓控晶體振蕩器等幾大類型！晶體振蕩器由于其化學性能穩(wěn)定、振蕩頻率的穩(wěn)定，諧振頻率準確，所以應用范圍非常較多。晶體振蕩器有多種封裝，特點是電氣性能規(guī)范。

晶體振蕩器的應用范圍及特性：晶體振蕩器被應用到軍、民用通信電臺，微波通信設(shè)備，程控電話交換機，無線電綜合測試儀，BP機、移動電話發(fā)射臺，頻率計數(shù)器、GPS、衛(wèi)星通信、遙控移動設(shè)備等。它有多種封裝，特點是電氣性能規(guī)范。晶體振蕩器由于具有優(yōu)異的穩(wěn)定性，晶體振蕩器（屬于有源晶振系列）被應用于需要高精度頻率輸出的通信、測量、時鐘、控制設(shè)備等領(lǐng)域。隨著頻率穩(wěn)定性的要求越來越嚴格，在很多場合選擇購買振蕩器比購買晶體諧振器更好。晶體諧振器跟晶體振蕩器有區(qū)別，晶體諧振器就是一個石英晶體片，兩個腿；晶體振蕩器是四個腿，有電源。上海高精度晶體振蕩器銷售

晶體振蕩器的振蕩頻率范圍可以從大約 40kHz 到遠高于 100MHz，取決于它們的電路配置。溫州1210晶體振蕩器報價

晶體振蕩器的輸出：必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動、電壓特性、負載特性、功耗、封裝形式，對于工業(yè)產(chǎn)品，有時還要考慮沖擊和振動、以及電磁干擾（EMI）。晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出。每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途。應該關(guān)注三態(tài)或互補輸出的要求。對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應用來說也要作出規(guī)定。許多DSP和通信芯片組往往需要嚴格的對稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時間（小于5ns）。相位噪聲和抖動：在頻域測量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實量度。它可測量到中心頻率的1Hz之內(nèi)和通常測量到1MHz。晶體振蕩器的相位噪聲在遠離中心頻率的頻率下有所改善。采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能。溫州1210晶體振蕩器報價