晶體未來發(fā)展趨勢：1、小型化、薄片化和片式化，為滿足移動電話為替代的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30~100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm，5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。2、高精度與高穩(wěn)定度，無補償式晶體振蕩器總精度也能達到±25ppm，VCXO的頻率穩(wěn)定度在10~7℃范圍內(nèi)±20~100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001~5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。石英晶體振蕩器就是我們俗稱的晶振，是一種由石英晶體（二氧化硅晶體）的壓電效應(yīng)制成的諧振器件。廈門車載石英晶體廠家電話

石英晶體振蕩器的基本原理：諧振頻率：從石英晶體諧振器的等效電路可知，它有兩個諧振頻率，即（1）當L、C、R支路發(fā)生串聯(lián)諧振時，它的等效阻抗比較小（等于R）。串聯(lián)揩振頻率用fs表示，石英晶體對于串聯(lián)揩振頻率fs呈純阻性，（2）當頻率高于fs時L、C、R支路呈感性，可與電容C。發(fā)生并聯(lián)諧振，其并聯(lián)頻率用fd表示。根據(jù)石英晶體的等效電路，可定性畫出它的電抗—頻率特性曲線如圖2e所示。可見當頻率低于串聯(lián)諧振頻率fs或者頻率高于并聯(lián)揩振頻率fd時，石英晶體呈容性。溫州音叉石英晶體哪家好壓電效應(yīng)：若在石英晶體的兩個電極上加一電場，晶片就會產(chǎn)生機械變形。

石英晶體振蕩器：石英晶體振蕩器是使用石英晶體作為諧振選頻電路的振蕩器。將石英晶體按一定的角切成薄片，在晶體切片的表面上裝上一對金屬極板，這樣就制成了石英晶體振蕩器。石英晶體振蕩器是基于逆壓電效應(yīng)原理制成的。當石英晶體受到交變電場時，石英晶體便會產(chǎn)生機械振動。由于石英晶體具有一定的固有振動頻率，當外加電場頻率等于其固有頻率時，便會產(chǎn)生諧振。這就是石英晶體可以作為諧振選頻電路的基本原因。石英晶體振蕩器具有極高的頻率穩(wěn)定度，因而普遍使用于要求頻率穩(wěn)定度高的設(shè)備中，例如標準頻率發(fā)生器、脈沖計數(shù)器、石英鐘等。

石英晶體諧振器：1、 標稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標識在產(chǎn)品外殼上。2、 工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。7、 負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。石英晶體諧振器：調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。

晶振工作原理：若在石英晶體的兩個電極上加一電場，晶片就會產(chǎn)生機械變形。反之，若在晶片的兩側(cè)施加機械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會產(chǎn)生機械振動，同時晶片的機械振動又會產(chǎn)生交變電場。在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。溫州音叉石英晶體哪家好

晶振工作原理： 由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當?shù)慕咏?。廈門車載石英晶體廠家電話

晶振的主要參數(shù)有標稱頻率，負載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標稱頻率不同，標稱頻率大都標明在晶振外殼上。如常用普通晶振標稱頻率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，對于特殊要求的晶振頻率可達到1000 MHz以上，也有的沒有標稱頻率，如CRB、ZTB、Ja等系列。負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。廈門車載石英晶體廠家電話

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